2D nucleation of 3C-SiC on 4H-SiC (0001) at 1680 - 1880 K investigated by in-situ observation of solution growth interface
2D nucleation of 3C-SiC on 4H-SiC (0001) at 1680 - 1880 K investigated by in-situ observation of solution growth interface
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通过溶液生长界面的原位观察研究 3C-SiC 在 4H-SiC (0001) 上在 1680 - 1880 K 下的二维成核
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
NOZAWA;Atsushi;NOZAWA Atsushi;NOZAWA Atsushi;NOZAWA Atsushi;Sakiko Kawanishi and Takeshi Yoshikawa
