FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計
FinFETを用いた低電圧駆動不揮発性SRAM (NV-SRAM)の設計
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使用 FinFET 设计低压非易失性 SRAM (NV-SRAM)
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山崎修，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomohiro Ishii;Donghyun Kwon and Kazuteru Namba;竹村祐亮，石岡文生，栗原考次;S. Shimizu;佐藤 充,髙井 伸和;Tomohiro Shinozaki;Ueki M;山崎修，塩津勇作，山本修一郎，菅原聡
