AuGe source and drain formation for the scaling of bottom-contact type pentacene-based OFETs
AuGe source and drain formation for the scaling of bottom-contact type pentacene-based OFETs
复制标题
用于缩放底部接触型并五苯 OFET 的 AuGe 源极和漏极形成
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yasutaka Maeda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shun-ichiro Ohmi;Mizuha Hiroki;Yasutaka Maeda
