High density NV-SRAM using memristor and selector as technology assist
High density NV-SRAM using memristor and selector as technology assist
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使用忆阻器和选择器作为技术辅助的高密度 NV-SRAM
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Kulkarni
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Teja Nibhanupudi;J. Kulkarni
这项工作提出了6 T-2 R-2S非易失性（NV）-静态随机存取存储器（SRAM）位单元，用于状态保持应用，具有最小的潜路径电流，而不会产生活动单元面积开销。各种工作模式进行了描述和Vmin/功耗与基线6 T SRAM的比较。
This work proposes 6T-2R-2S Non-Volatile (NV)-Static Random Access Memory (SRAM) bitcell for state retention applications with minimal sneak path current without incurring active cell area overhead. Various operating modes are described and Vmin/power comparisons with the baseline 6T SRAM are presented.