Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Low-frequency noise in AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
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AlTiO/AlGaN/GaN 金属-绝缘体-半导体异质结场效应晶体管中的低频噪声
DOI：
10.1063/1.4952386
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发表时间：
2016
影响因子：
3.2
通讯作者：
and T. Suzuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. P. Le;T. Ui;T. Q. Nguyen;H.-A. Shih;and T. Suzuki
