イオンビーム照射成膜によるc軸垂直配向希土類GaN 薄膜の形成
イオンビーム照射成膜によるc軸垂直配向希土類GaN 薄膜の形成
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离子束照射形成c轴垂直取向稀土GaN薄膜
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
鈴木雅視,柳谷隆彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
丹波千尋;冨井翔一朗;大槻知明;鈴木雅視,柳谷隆彦
