Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure
Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure
复制标题
具有凹进式复合肖特基势垒结构的 GaN 基二极管的理论研究
DOI：
10.1143/jjap.48.04c103
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Makino;N. Ishikawa;K. Shiojima;M. Kuzuhara
