MIGRATION OF GOLD ATOMS THROUGH THIN SILICON-OXIDE FILMS

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DOI:
10.1063/1.1663192
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发表时间:
1974-01-01
影响因子:
3.2
通讯作者:
HOWES, MJ
HOWES, MJ
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
MADAMS, CJ;MORGAN, DV;HOWES, MJ

文献摘要

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