Improvement of memory properties by N2 annealing of Al/Al2O3/ Al-rich Al-O/SiO2/p-Si structure
Improvement of memory properties by N2 annealing of Al/Al2O3/ Al-rich Al-O/SiO2/p-Si structure
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通过 Al/Al2O3/富铝 Al-O/SiO2/p-Si 结构的 N2 退火改善存储性能
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shinya Ozaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kamihira;Maziah. N. B. Ishak;S.Narita and H.Yamada;Shinya Ozaki
