P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计

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发表时间:
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期刊:
半导体学报
影响因子:
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通讯作者:
余金中
余金中
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
赖虹凯;陈松岩;李成;邓和清;林桂江;余金中

文献摘要

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