InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
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DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
黄海宾
中科院分区：
文献类型：
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作者：
刘诗涛;王立;伍菲菲;杨祺;何沅丹;张建立;全知觉;黄海宾
