ANNEALING CHARACTERISTICS OF n‐TYPE DOPANTS IN ION‐IMPLANTED SILICON
ANNEALING CHARACTERISTICS OF n‐TYPE DOPANTS IN ION‐IMPLANTED SILICON
复制标题
离子注入硅中 n 型掺杂剂的退火特性
DOI：
10.1063/1.1652664
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发表时间：
1969
影响因子：
4
通讯作者：
F. Morehead
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. Crowder;F. Morehead
报告了对施主 P、As 和 Sb 通过离子注入 (260–300 keV) 以电活性形式掺入 Si 的条件的研究。高于临界剂量时，室温注入后进行 600°C 后退火比 600°C 下的注入要有效得多。
Investigations of the conditions under which the donors, P, As, and Sb, are incorporated into Si by by ion implantation (260–300 keV) in an electrically active form are reported. Above a critical dose, room‐temperature implantations followed by a 600°C post anneal are substantially more effective than implantations at 600°C.