低速電子誘起成膜法によるSiNxの極低温合成と物性評価
低速電子誘起成膜法によるSiNxの極低温合成と物性評価
复制标题
慢速电子诱导沉积法SiNx的深冷合成及物性评价
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小林 憲明
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Sato;M.Mitsui;J.Yamanaka;K.Nakagawa;Y.Aoki;S.Sato;C.Miyata;小林 憲明;佐藤 哲也;小林 憲明
