A compact model of fringing field induced parasitic capacitance for deep sub-micrometer MOSFETs
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DOI：
10.1016/j.sse.2009.04.010
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发表时间：
2009-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
Xi Liu;Xiaoshi Jin;Jong-Ho Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xi Liu;Xiaoshi Jin;Jong-Ho Lee
