Sensitivity analysis of 50-GHz MMIC-LNA on gate-recess depth with InAlAs/InGaAs/InP HEMTs

Sensitivity analysis of 50-GHz MMIC-LNA on gate-recess depth with InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
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使用 InAlAs/InGaAs/InP HEMT 进行 50 GHz MMIC-LNA 对栅极凹槽深度的灵敏度分析

DOI：
10.1109/mwsym.1994.335350
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发表时间：
1994
期刊：
1994 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.94CH3389-4)
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Ishii
Y. Ishii
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Y. Umeda;T. Enoki;Y. Ishii

文献摘要

被引文献

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本文提出了一种新的系统的方法来分析噪声系数（NF）的灵敏度的MMIC低噪声放大器（LNA）的器件结构参数，如栅极凹槽的变化。利用这种新方法制作了一个全单片单平面两级LNA，在50 GHz时具有2.8 dB的极低NF。比较研究表明，在所制造的HEMT的栅极凹陷的变化不会导致在MMIC-LNA的NF的变化。&lt;<ETX>&gt;
This paper proposes a new systematic approach to the noise-figure (NF) sensitivity analysis of MMIC low-noise amplifiers (LNA) regarding device-structure parameters such as gate-recess variation . A full-monolithic uniplanar two-stage LNA with an extremely low NF of 2.8 dB at 50 GHz is fabricated and analyzed using this new method. A comparative study reveals that the gate recess variation in the fabricated HEMTs causes no substantial NF variation in the MMIC-LNAs.<<ETX>>