Doping and characterization of impurity atoms in Si nanowires
Doping and characterization of impurity atoms in Si nanowires
复制标题
硅纳米线中杂质原子的掺杂及表征
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Sekiguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Fukata;K.Sato;M.Mitome;Y.Bando;T.Sekiguchi
