Maskless Mn implantation in GaAs using focused Mn ion beam
Maskless Mn implantation in GaAs using focused Mn ion beam
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使用聚焦锰离子束在砷化镓中进行无掩模锰注入
DOI：
10.1016/s0168-583x(03)00924-8
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发表时间：
2003
影响因子：
1.3
通讯作者：
K. Gamo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Itou;M. Kasai;T. Kimura;J. Yanagisawa;F. Wakaya;Y. Yuba;K. Gamo
