Temperature-Sensitive Gating of Voltage-Gated H+ Channels
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电压选通 H 通道的温度敏感选通
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Fujiwara Y.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshida T;Imamura H;Fujiwara Y.
