K.Suzuki: "Transport Properties of Undoped Cd_<0.9>Zn_<0.1>Te Grown by High Pressure Bridgman Technique"J. Electronic Materials. 29・No.6. 704-707 (2000)
K.Suzuki: "Transport Properties of Undoped Cd_<0.9>Zn_<0.1>Te Grown by High Pressure Bridgman Technique"J. Electronic Materials. 29・No.6. 704-707 (2000)
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K.Suzuki：“通过高压布里奇曼技术生长的未掺杂Cd_<0.9>Zn_<0.1>Te的传输特性”J.电子材料29·No.704-707。
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