Gas-source molecular beam epitaxy and luminescence characterization of strained Si1−xGex/Si quantum wells
Gas-source molecular beam epitaxy and luminescence characterization of strained Si1−xGex/Si quantum wells
复制标题
应变 Si1−xGex/Si 量子阱的气源分子束外延和发光表征
DOI：
10.1016/0022-0248(94)90432-4
复制
发表时间：
1994
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Okumura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Fukatsu;N. Usami;Y. Kato;H. Sunamura;Y. Shiraki;H. Oku;T. Ohnishi;Y. Ohmori;K. Okumura
