Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors
Output Characteristics of 4H-SiC Pixel Devices for Radiation Hardened UV CMOS Image Sensors
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用于抗辐射 UV CMOS 图像传感器的 4H-SiC 像素器件的输出特性
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasunori Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin-Ichiro Kuroki;Kenta Nishigaito;Tatsuya Meguro;Takeyama Akinori;Ohshima Takeshi;Yasunori Tanaka
