Tunable electronic structure of graphdiyne/MoS2 van der Waals heterostructure
Tunable electronic structure of graphdiyne/MoS2 van der Waals heterostructure
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石墨炔/MoS2范德华异质结构的可调谐电子结构
DOI：
10.1016/j.matlet.2018.06.038
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发表时间：
2018-10
影响因子：
3
通讯作者：
Huang Le
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Yibin;Yang Yanfeng;Xiao Ye;Zhao Yu;Luo Dongxiang;Zheng Zhaoqiang;Huang Le
首次通过第一性原理计算研究了石墨二炔/MoS2范德华（vdW）异质结在外电场下的结构和电子性质。石墨炔/MoS2异质结构的直接带隙可以通过电场显着调制，并且观察到从半导体到金属的转变。结果表明，石墨炔/MoS2双层在一定电场下从I型异质结构转变为II型异质结构，导致最低能量电子空穴对的空间分离，有利于光电探测和太阳能转换。计算结果为石墨二炔/MoS2异质结构在未来微纳电子学和光电子学中的应用奠定了基础。
Structural and electronic properties of graphdiyne/MoS2van der Waals (vdW) heterostructure under external electric field are investigated by first-principle calculations for the first time. The direct bandgap of graphdiyne/MoS2heterostructure can be significantly modulated by the electric field, and a transition from semiconductor to metal is observed. It is demonstrated that the graphdiyne/MoS2bilayer transfers from type-I to type-II heterostructure under a certain electric field, leading to the spatial separation of the lowest energy electron-hole pairs, which is beneficial to photodetection and solar energy conversion. The calculation results pave the way for applications of graphdiyne/MoS2heterostructure in future micro-/nano- electronics and photoelectronics.
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