InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers on (311)B GaAs substrate
InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers on (311)B GaAs substrate
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(311)B GaAs 衬底上的 InGaAs/GaAs 垂直腔面发射激光器
DOI：
10.1049/el:19950549
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发表时间：
1995
影响因子：
1.1
通讯作者：
N. Mikoshiba
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Kaneko;S. Nakagawa;T. Takeuchi;D. Mars;N. Yamada;N. Mikoshiba
在实验室研制了InGaAs/GaAs垂直腔顶发射介质镜面发射激光器
InGaAs/GaAs vertical cavity top-emitting dielectric-mirror surface-emitting lasers have been fabricated on a