Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs
Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs
复制标题
氮 δ 掺杂 GaAs 中束缚激子发光的覆盖层依赖性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Harada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W.Badalawa;H.Matsui;H.Tabata;Y.Harada
