Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si
Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si
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DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Schaepkens;T. Standaert;N. R. Rueger;P. Sebel;G. S. Oehrleinb
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Schaepkens;T. Standaert;N. R. Rueger;P. Sebel;G. S. Oehrleinb
引用出版版本（阿帕）：Schaepkens，M.，Standaert，T. E. F. M.，Rueger，N. R.，Sebel，P. G. M.，Oehrlein，G.美国，&库克，J. M.（1999年）。在电感耦合氟碳等离子体中SiO2对Si 3 N4蚀刻选择性机制的研究以及与SiO2对Si的比较。Journal of Vacuum Science and Technology A：Vacuum，Surfaces，and Films，17（1），26-37. https://doi.org/10.1116/1.582108
Citation for published version (APA): Schaepkens, M., Standaert, T. E. F. M., Rueger, N. R., Sebel, P. G. M., Oehrlein, G. S., & Cook, J. M. (1999). Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si. Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 17(1), 26-37. https://doi.org/10.1116/1.582108