S. Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J. Crystal Growth. 201/202. 810-813 (1999)
S. Koshiba: "Selective molecular beam epitaxy (MBE) growth of GaAs/AlAs ridge structures containing 10 nm scale wires and side quantum wells (QWs) and their stimulated emission characteristics"J. Crystal Growth. 201/202. 810-813 (1999)
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S. Koshiba：“包含 10 nm 级线和侧量子阱 (QW) 的 GaAs/AlAs 脊结构的选择性分子束外延 (MBE) 生长及其受激发射特性”J.
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