T.Nakamura, H.Tanabe, M.Satoh: "High electrical activation of implanted phosphorus in the fully amorphized implant-layer by solid phase epitaxy on (1120)-oriented 6H-SiC"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.42, No.1. 63-66 (2003)
T.Nakamura, H.Tanabe, M.Satoh: "High electrical activation of implanted phosphorus in the fully amorphized implant-layer by solid phase epitaxy on (1120)-oriented 6H-SiC"Japanese Journal of Applied Physics. Vol.42, No.1. 63-66 (2003)
复制标题
T.Nakamura、H.Tanabe、M.Satoh：“通过在 (1120) 取向 6H-SiC 上固相外延对完全非晶化注入层中注入的磷进行高电激活”《日本应用物理学杂志》。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
