スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果
スパッタエピタキシー法を用いたGe薄膜形成におけるボロンドープSi基板の効果
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硼掺杂硅衬底对溅射外延法形成Ge薄膜的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Kawashima;A. Taguchi;N. Oikawa;H. Yamada and S. Narita;塚本貴広,広瀬信光,笠松章史,三村高志,松井敏明,須田良幸
