Strain-balanced GaAs 1-x Bi x /GaN y As 1-y W-type quantum wells for GaAs-based 1.3-1.6 µm lasers
Strain-balanced GaAs 1-x Bi x /GaN y As 1-y W-type quantum wells for GaAs-based 1.3-1.6 µm lasers
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用于 GaAs 基 1.3-1.6 µm 激光器的应变平衡 GaAs 1-x Bi x /GaN y As 1-y W 型量子阱
DOI：
10.1109/nusod52207.2021.9541434
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Davidson Z
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Davidson Z
