SiC-MOSFET を利用した直流モデル遮断器に関する基礎検討
SiC-MOSFET を利用した直流モデル遮断器に関する基礎検討
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使用SiC-MOSFET的直流模型断路器的基础研究
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Sato;S. Nishimura and H. Shimizu;村田 健二朗,荻野 明久,森岡 直也,木村 裕治;横水 康伸，大橋 亮介，松村 年郎
