Efficient Activation of As in Ultrashallow Junction Induced by Thermal Plasma Jet Microsecond Annealing
Efficient Activation of As in Ultrashallow Junction Induced by Thermal Plasma Jet Microsecond Annealing
复制标题
热等离子射流微秒退火诱导超浅结中 As 的有效激活
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Matsumoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Phetkaysone Anongdeth;佐藤良一;K.Matsumoto
