H.Ishikawa: "Growth of GaN on 4-inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer"Phys.Stat.Sol. (c). 2177-2180 (2003)
H.Ishikawa: "Growth of GaN on 4-inch Si substrate with a thin AlGaN/AlN intermediate layer"Phys.Stat.Sol. (c). 2177-2180 (2003)
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H.Ishikawa：“具有薄 AlGaN/AlN 中间层的 4 英寸 Si 衬底上的 GaN 生长”Phys.Stat.Sol。
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