高ゲートバイアス印加による SiC パワー MOSFET の トータルドーズ回復現象の測定
高ゲートバイアス印加による SiC パワー MOSFET の トータルドーズ回復現象の測定
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通过施加高栅极偏压测量 SiC 功率 MOSFET 的总剂量恢复现象
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古田潤
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水嶋雅俊;小林和淑;古田潤
