Y.Ohizumi et al.: "Formation of misfit dislocations in GaAs/InGaAs multiquantum wells observed by photoluminescence microscopy"Journal of Applied Physics. 92巻5号. 2385-2390 (2002)
Y.Ohizumi et al.: "Formation of misfit dislocations in GaAs/InGaAs multiquantum wells observed by photoluminescence microscopy"Journal of Applied Physics. 92巻5号. 2385-2390 (2002)
复制标题
Y. Ohizumi 等人：“光致发光显微镜观察到的 GaAs/InGaAs 多量子阱中错配位错的形成”《应用物理学杂志》，第 92 卷，第 5 期。2385-2390 (2002)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
