A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond-猫眼课题宝

DOI：

10.1109/iedm.2017.8268425

发表时间：

2017-12

期刊：

2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

影响因子：

通讯作者：

中科院分区：

其他

文献类型：

作者：

S. Dunkel;M. Trentzsch;R. Richter;P. Moll;C. Fuchs;O. Gehring;M. Majer;S. Wittek;B. Muller;T. Melde;H. Mulaosmanovic;S. Slesazeck;S. Müller;J. Ocker;M. Noack;D. Lohr;P. Polakowski;J. Müller;T. Mikolajick;J. Hontschel;B. Rice;J. Pellerin;S. Beyer

我们展示了基于铁电场效应晶体管 (FeFET) 的 eNVM 解决方案在领先的 22 纳米 FDSOI CMOS 技术中的实现。 1.5 V 的存储窗口在面积小至 0.025 μm2 的大规模 FeFET 单元中得到验证，此时支持高达 105 次的编程/擦除耐久性周期。使用 4.2 V 下 10 ns 范围内的超快编程/擦除脉冲将复杂模式写入 32 MBit 阵列。可实现高达 300 °C 的高温保持。它使基于 FeFET 的 eNVM 成为 22 纳米及以上技术节点的整体低成本、低功耗物联网应用的可行选择。

We show the implementation of a ferroelectric field effect transistor (FeFET) based eNVM solution into a leading edge 22nm FDSOI CMOS technology. Memory windows of 1.5 V are demonstrated in aggressively scaled FeFET cells with an area as small as 0.025 μm2 At this point program/erase endurance cycles up to 105 are supported. Complex pattern are written into 32 MBit arrays using ultrafast program/erase pulses in a 10 ns range at 4.2 V. High temperature retention up to 300 °C is achieved. It makes FeFET based eNVM a viable choice for overall low-cost and low-power IoT applications in 22nm and beyond technology nodes.

A FeFET based super-low-power ultra-fast embedded NVM technology for 22nm FDSOI and beyond

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