プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測

プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
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等离子体CVD SiNx薄膜的深度方向化学成分和缺陷密度测量

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
三浦 真嗣
三浦 真嗣
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
R;Yougauchi;K. Makihara;大田 晃生;門島 勝;三浦 真嗣

文献摘要

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