Formation of ‘environmentally friendly’ semiconductor (β-FeSi2) thin films prepared by ion beam sputter deposition (IBSD) method
Formation of ‘environmentally friendly’ semiconductor (β-FeSi2) thin films prepared by ion beam sputter deposition (IBSD) method
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通过离子束溅射沉积（IBSD）方法制备“环保”半导体（β-FeSi2）薄膜
DOI：
10.1016/s0040-6090(01)01485-7
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
K. Hojou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Sasase;T. Nakanoya;H. Yamamoto;K. Hojou
