イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)
イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2)
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离子注入法控制氮化物半导体电性能及其在集成电路中的应用研究（2）
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
若原 昭浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
横山 太一;三輪 清允;岡田 浩;関口 寛人;山根 啓輔;若原 昭浩
