Characterization of defects created in Cz and epitaxial Si doped with Ga or B using Laplace-DLTS
Characterization of defects created in Cz and epitaxial Si doped with Ga or B using Laplace-DLTS
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使用 Laplace-DLTS 对 Cz 和掺杂 Ga 或 B 的外延 Si 中产生的缺陷进行表征
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. C. Farlow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Nyamhere;P. Deenapanray;F. D. Auret;F. C. Farlow
