Bias-induced insulator-metal transition in organic electronics
Bias-induced insulator-metal transition in organic electronics
复制标题
有机电子器件中偏压引起的绝缘体-金属转变
DOI：
10.1063/1.2756354
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发表时间：
2006-09
影响因子：
4
通讯作者：
Yan, YiJing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei, J. H.;Xie, S. J.;Mei, L. M.;Yan, YiJing
The authors investigate the bias-induced insulator-metal transition in organic electronics devices on the basis of the Su-Schrieffer-Heeger model [W. P. Su et al., Phys. Rev. B 22, 2099 (1980)] combined with the nonequilibrium Green’s function formalism.
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影响因子：
3.7
作者：
Brandbyge, M;Mozos, JL;Stokbro, K
通讯作者：
Stokbro, K
影响因子：
3.3
作者：
Jianhua Wei;Shijie Xie;Liangmo Mei;J. Berakdar;Yijing Yan
通讯作者：
Jianhua Wei;Shijie Xie;Liangmo Mei;J. Berakdar;Yijing Yan
影响因子：
56.9
作者：
Kumai, R;Okimoto, Y;Tokura, Y
通讯作者：
Tokura, Y
DOI：
10.1119/1.1953050
发表时间：
1963
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
C. Kittel
通讯作者：
C. Kittel
影响因子：
56.9
作者：
Donhauser, ZJ;Mantooth, BA;Weiss, PS
通讯作者：
Weiss, PS