X線マイクロビーム回折を用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価
X線マイクロビーム回折を用いた単一Ga1-xInxN/GaN量子殻の局所構造評価
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使用 X 射线微束衍射评估单个 Ga1-xInxN/GaN 量子壳的局部结构
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
市川貴登，近藤剣，安田信広，隅谷和嗣，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kondo;T. Ichikawa;H. Akasaka;K. Uno;R. Kobayashi;Y. Imai;K. Sumitani;S. Kimura;N. Goto;D. Imai;S. Kamiyama and T. Miyajima;川裕介，荒川亮太，神林大介，成塚重弥，今井大地，宮嶋孝夫;市川貴登，近藤剣，安田信広，隅谷和嗣，今井康彦，中尾知代，荒井重勇，後藤七美，上山智，今井大地，宮嶋孝夫
