Y. Satoh: "Voltage Gain in GaAs-Based Lateral Single-Electron Transistors Having Schottky Wrap Gates"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 410-414 (1999)
Y. Satoh: "Voltage Gain in GaAs-Based Lateral Single-Electron Transistors Having Schottky Wrap Gates"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 410-414 (1999)
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Y. Satoh：“具有肖特基环绕栅极的 GaAs 基横向单电子晶体管的电压增益”日本应用物理学杂志。
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