T.Matsuura, J.Murota, T.Ohmi, and S.Ono: "Side etch control of n^+-polysilicon with nitrogen added chlorine plasma" Ext. Abstr. Int. Conf. on Solid State devices and Materials. August 26-28. 418-419 (1992)
T.Matsuura, J.Murota, T.Ohmi, and S.Ono: "Side etch control of n^+-polysilicon with nitrogen added chlorine plasma" Ext. Abstr. Int. Conf. on Solid State devices and Materials. August 26-28. 418-419 (1992)
复制标题
T.Matsuura、J.Murota、T.Ohmi 和 S.Ono：“用氮添加氯等离子体对 n^-多晶硅进行侧面蚀刻控制”
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
