Strain Relaxation of Ge1－x－ySixSny Epitaxial on Ge substrate Using Implantation Method
Strain Relaxation of Ge1－x－ySixSny Epitaxial on Ge substrate Using Implantation Method
复制标题
注入法Ge1－x－ySixSny外延Ge基体的应变弛豫
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Osamu Nakatsuka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hidetaka Sofue;Masahiro Fukuda;Shigehisa Shibayama;Shigeaki Zaima;and Osamu Nakatsuka
