Electron Microscopy Analysis of Dislocation Behavior in HVPE-AIGaN Layer Grown on a Stripe-Patterned (0001) Sapphire Substrate
Electron Microscopy Analysis of Dislocation Behavior in HVPE-AIGaN Layer Grown on a Stripe-Patterned (0001) Sapphire Substrate
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条纹图案 (0001) 蓝宝石衬底上生长的 HVPE-AlGaN 层位错行为的电子显微镜分析
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tadashige Sato and Akira Usui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Noriyuki Kuwano;Yuta Kugiyama;Yutaka Nishikouri;Tadashige Sato and Akira Usui
