HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
HfO2/SiO2 MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作
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HfO2/SiO2 MOS堆叠结构中的界面偶极子调制操作
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
野平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
宮田;奈良;山崎;住田;佐野;野平
