PCVM による2 インチSiC 基板の薄化-スリット電極の検討-
PCVM による2 インチSiC 基板の薄化-スリット電極の検討-
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利用PCVM实现2英寸SiC基板的薄化-狭缝电极的研究-
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西川央明
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Rekharsky;Y.Inoue;西川央明
