Intrinsic (Trap‐Free) Transistors Based on Epitaxial Single‐Crystal Perovskites
Intrinsic (Trap‐Free) Transistors Based on Epitaxial Single‐Crystal Perovskites
复制标题
基于外延单晶钙钛矿的本征（无陷阱）晶体管
DOI：
10.1002/adma.202205055
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发表时间：
2022
影响因子：
29.4
通讯作者：
Podzorov, Vitaly
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bruevich, Vladimir;Kasaei, Leila;Rangan, Sylvie;Hijazi, Hussein;Zhang, Zhenyuan;Emge, Thomas;Andrei, Eva Y.;Bartynski, Robert A.;Feldman, Leonard C.;Podzorov, Vitaly
