Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal
Crystal growth of InAs/AlGaSb heterostructures by molecular beam epitaxy and fabrication of InAs HFETs using Ni/Au alloy ohmic metal
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通过分子束外延生长 InAs/AlGaSb 异质结构以及使用 Ni/Au 合金欧姆金属制造 InAs HFET
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Sasa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Moriguchi;T.Maemoto;K. Ogata;S.Sasa
