Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
Device modeling of oxide?semiconductor channel antiferroelectric FETs using half-loop hysteresis for memory operation
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使用半环磁滞进行存储器操作的氧化物半导体通道反铁电 FET 的器件建模
DOI：
10.35848/1347-4065/acac3b
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发表时间：
2023
影响因子：
1.5
通讯作者：
Kobayashi Masaharu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Huang Xingyu;Itoya Yuki;Li Zhuo;Saraya Takuya;Hiramoto Toshiro;Kobayashi Masaharu
